Høj effektivitet 42V dobbelt synkron controller med lav hvilestrøm til altid

Renesas Electronics Corporation har introduceret et nyt par 42V dobbelt synkron controller, der er designet med den laveste hvilestrøm på 6 µA og integrerede MOSFET-drivere med 2A-kilde / 3A-vask, der leverer primære power stage-løsninger til Renesas R-Car H3 og R-Car M3 SoC'er.

Den ISL78264 dual sync buck controller er designet til byggen ned 12V batteri system til 5V og 3.3V til strøm køretøjets elektroniske styreenhed (ECU), infotainment i biler (IVI) og digitale cockpitsystemer med 50W-200W effektniveauer. Den ISL78263 dual sync boost og buck controller tilvejebringer DC / DC-konvertering til understøtning styrkeniveauer på 25W-100W med en præ-boost, hvis batterispændingen (VBAT) dips til så lavt som 2.1V under en cranking transient eller en start / stop-begivenhed.

Funktioner i ISL78264 Dual Sync Buck Controller

• Input spænding drift på 3,75V til 42V
• Buck1 Vout er fast på 3.3V / 5V eller justerbar fra 0,8V til 5V
• Buck2 Vout kan justeres fra 0,8V til 32V
• Lav Iq på 6 µA (typ) over en enkelt sorte kanal
• 25ns on-times til lav driftscyklusdrift og 180 ° faseforskydning mellem kanaler
• Understøtter start-stop svingende transienter ned til 5,5V @ 2MHz uden at kræve pre-boost

Funktioner i ISL78263 Dual Sync Boost and Buck Controller

• Input spænding drift på 2.1V til 42V
• Fast spænde ved 3,3 V / 5 V justerbar
• Holder buck-output i regulering gennem koldsving-transienter ned til 2,1V
• Boost frekvens ved 1x eller 0,2x buck frekvensen
• Drop-out-tilstand (buck) til højcyklusdrift
• 25ns til tider til lav driftscyklusdrift

Både ISL78264 og ISL78263 tilbyder en energibesparende lav hvilestrøm (Iq) på 6 µA (typ) over en enkelt buck-kanal, de forenkler også design af strømforsyningen ved at integrere FET-drivere, der kan levere brancheførende 96% spidseffektivitet og> 10 A output nuværende. Den indbyggede EMI-afbødning med en skiftefrekvens på op til 2,2 MHz reducerer omkostningerne og størrelsen ved EMI-filtrering / -afskærmning.

Enhederne er designet med feedbackmodstandene og en ekstern forsyningsblokerende diode til applikationer, der kræver krumtapstøtte og programmerbart spredt spektrum til løsning af EMI-interferensudfordringer. De tilbyder bedre beskyttelse for overspænding (OV), underspænding (UV), overstrøm, overtemperatur og en bootstrapforsyning Underspændingsdetektering og opdateringskredsløb for at beskytte MOSFET på højsiden.