Vishay Intertechnology lancerede ny 60V TrenchFET Gen IV n-kanal effekt MOSFET optimeret til standard gate-drev til at levere maksimal on-modstand ned til 4 mΩ ved 10 V i den termisk forbedrede 3,3 mm med 3,3 mm PowerPAK® 1212-8S-pakke. Vishay Siliconix SiSS22DN er designet til at øge effekttætheden og effektiviteten i skifte topologier med en lav portladning på 22,5 nC sammen med lav outputladning (QOSS). SiSS22DN leveres med forbedret Threshold Gate Source V GS (th) og Miller plateauspænding, der adskiller sig fra 60 V-enheder på logisk niveau, så MOSFET leverer optimerede dynamiske egenskaber, der muliggør korte dødtider og forhindrer gennemskydning i synkron ensretterapplikationer.
Den SiSS22DN MOSFET ® lavest mulige 4,8% on-modstand og Q OSS på 34,2 nC giver bedste i klassen Q OSSgange modstand. Enhederne bruger 65% mindre PCB-plads i 6 mm x 5 mm-pakke og opnår højere effekttæthed. SiSS22DN har finjusterede specifikationer for at reducere lednings- og koblingstab samtidigt, hvilket resulterer i øget effektivitet, der kan realiseres i flere strømstyringssystembygninger, inklusive synkron udligning i DC / DC og AC / DC topologier; halv-bridge MOSFET-strømtrin i buck-boost-konvertere, switch på primærsiden i DC / DC-konverter og OR-ing-funktionalitet i telekom- og serverstrømforsyninger; batteribeskyttelse og opladning i batteristyringsmoduler; og motordrevkontrol og kredsløbsbeskyttelse i industrielt udstyr og elværktøj.
Funktioner ved SiSS22DN MOSFET:
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Meget lav RDS - Qg-fortjeneste (FOM)
- Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
SiSS22DN MOSFET er 100% RG- og UIS-testet, halogenfri og RoHS-kompatibel. Den leveres i PowerPAK 1212-8S-pakke, og prøver såvel som produktionsmængder er tilgængelige nu med leveringstider på 30 uger underlagt markedsforhold.