Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation har introduceret GT20N135SRA, en 1350V diskret IGBT til IH-komfur, IH- riskomfurer , mikrobølgeovne og andre husholdningsapparater, der bruger spændingsresonanskredsløb. IGBT har en kollektor-emittermætningsspænding på 1,75 V og en diode fremadspænding på 1,8 V, hvilket er henholdsvis ca. 10% og 21% lavere end for det aktuelle produkt.
Både IGBT og dioden har forbedret ledningstabskarakteristika ved høj temperatur (T C = 100 ℃), og den nye IGBT kan hjælpe med at reducere udstyrets strømforbrug. Den har også en kryds-til-sag termisk modstand på 0,48 ℃ / W ca. 26% lavere end for de nuværende produkter, hvilket muliggør lettere termisk design.
Funktioner af GT20N135SRA IGBT
- Lavt ledningstab:
VCE (sat) = 1,6V (typ.) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75V (typ.) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Lav kryds-til-sag termisk modstand: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (maks.)
- Undertrykker kortslutningsstrøm, der strømmer gennem resonanskondensatoren, når udstyret er tændt.
- Det brede sikre driftsområde
Den nye IGBT kan undertrykke kortslutningsstrømmen, der strømmer gennem resonanskondensatoren, når udstyret tændes. Dens topværdi for kredsløbsstrøm er 129A, ca. 31% reduktion fra det aktuelle produkt. GT20N135SRA gør udstyrets design lettere sammenlignet med de andre lignende produkter, der findes i dag, da dets sikre driftsområde er udvidet. For flere detaljer om GT20N135SRA, besøg den officielle hjemmeside for Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.